今日热点！ST东时大股东占用资金：数额成谜 疑云重重

ST东时大股东占用资金：数额成谜 疑云重重

北京 - 6月18日，ST东时(SZ:002031)发布公告承认，公司大股东存在占用资金的情况，但具体金额尚未明确。这一消息引发了市场广泛关注，投资者纷纷质疑公司财务状况的真实性。

根据公告，ST东时的大股东东时控股(000673)于2023年12月至2024年5月期间，未经公司董事会批准，将其控股子公司东时时代(002575)的银行存款划转至自身账户，用于支付其自身债务。截至2024年5月31日，东时控股占用东时时代的资金总额为5亿元人民币。

ST东时表示，公司已就东时控股占用资金一事向监管部门报告，并聘请了律师对相关事宜进行调查。公司将根据调查结果及时履行信息披露义务。

然而，公告并未披露东时控股占用资金的具体用途，也未说明公司将采取何种措施追回资金。这引发了投资者对公司财务状况的担忧。

一些投资者质疑，东时控股占用资金的行为是否构成违规，并可能对公司未来的经营和发展造成重大影响。此外，也有投资者担心，东时控股的财务状况可能存在其他问题，并可能导致公司出现更大的债务风险。

ST东时的大股东占用资金事件，再次暴露了上市公司财务管理不规范的问题。监管部门应对此类事件保持高度警惕，加大对上市公司的监管力度，维护投资者合法权益。

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三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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